Автор: [автор не указан] Год: 1971 Издание:Мир Страниц: 532 ISBN: [не указан] Одной из основных проблем технологии изготовления полупроводниковых приборов является создание в объеме полупроводникового кристалла p - n-переходов. В последние годы появился новый метод создания p-n-переходов с помощью облучения полупроводника пучком соответствующих ионов. Настоящая книга представляет собой сборник специально подобранных статей и докладов, освещающих эту новую перспективную область физики и техники полупроводников. В книге рассмотрены вопросы распределения легирующих примесей по глубине полупроводника, радиационные нарушения и электрические свойства легированных полупроводников. Книга рассчитана на физиков и инженеров, работающих в области исследований, применений и разработки полупроводниковых приборов.
