Физико-химические основы легирования полупроводников
Автор:Глазов В. М., Земсков В. С. Год: 1967 Издание: Страниц: 372 ISBN: [не указан] В монографии обобщены результаты исследования принципов и процессов легирования германия и кремния с позиций физической химии и физики твердого тела. В первой главе последовательно и полно изложены принципы легирования полупроводников. Во второй главе собран и проанализирован практически весь имеющийся материал по двойным системам на основе германия и кремния. Графический материал в виде диаграммы состояния с микрообластями твердых растворов является справочным материалом. Третья глава посвящена важному вопросу взаимодействия компонентов в полупроводниковых системах. Собраны практически все исследованные тройные диаграммы состояния для германия и кремния типа полупроводник — акцептор — донор. Вопросы взаимодействия рассматриваются с позиций физико-химического анализа. В последней, четвертой, главе, посвященной методам легирования и получению материала с заданными свойствами, наглядно показана роль диаграммы состояния в определении методов и условий легирования при...
