По горизонтали
1. Характеристика, которая оказывает серьезное влияние на возникновение и развитие разряда в мрс
4. Радиус, характерный для циклотронного вращения заряженной частицы в плоскости перпендикулярной магнитному полю
9. Устройство, в котором распыление материала происходит за счет бомбардировки поверхности мишени ионами рабочего газа
11. При каком режиме тлеющего разряда катод не полностью покрывается свечением
14. Частица, благодаря которой зажигается разряд в вакуумной камере
15. Что вызывает совместное действие электрического и магнитного полей, действуя на электрон
По вертикали
2. Какой режим тлеющего разряда характеризуется возрастающей вах
3. Какой тип магнитной системы обеспечивает условие, когда фвнутр=фвн
5. Процесс передачи импульса, в котором быстрая частица (чаще всего ион рабочего газа), выбивает атом с поверхности катода
6. Процесс образования ионов из нейтральных атомов и молекул
7. Важным параметром, определяющим скорость распыления является
8. Вид поля, которое позволяет локализовать плазму разряда непосредственно у поверхности мишени
10. Процесс, происходящий с мишенью в магнетронном распылении на постоянном токе, при котором происходит удаление с осаждаемого материала загрязненного приповерхностного слоя
12. Часть магнетронной распылительной системы, находящаяся под отрицательным потенциалом
13. Среда, которая образуется вблизи поверхности мишени, в результате разряда в газе
