Автор:Милнс А. Год: 1977 Издание:Мир Страниц: 568 ISBN: [не указан] Монография Л. Милнса, известного американского ученого, специалиста в области физики полупроводников, содержит обширный систематизированный экспериментальный материал, касающийся природы, свойств и различных проявлений примесных центров с глубокими уровнями в германии, кремнии и полупроводниках типа AmBv. Подробно рассмотрены различные неравновесные процессы в этих полупроводниках и р-«-переходах на их основе: механизмы захвата носителей примесными центрами при наличии электрического поля и в его отсутствие; рекомбинация и прилипание носителей; кинетика фототока и тока переключения диодов; термостимулированная проводимость; токи, ограниченные объемным зарядом и биполярная инжекция; различного типа неустойчивости тока; проводимость в примесной зоне. Книга будет полезна многочисленным специалистам - физикам и инженерам, работающим в области исследований и технических применений полупроводников в фото- и оптоэлектронике, полупроводниковой квантовой электронике и т п., а...
