Автор: [автор не указан] Год: 1972 Издание:Советское радио Страниц: 304 ISBN: [не указан] В последнее время все большее число различных полупроводниковых приборов, особенно сверхвысокочастотных, создается на основе относительно нового по сравнению с германием и кремнием полупроводникового материала - арсенида галлия. Однако до сих пор технология изготовления, методы конструирования и характеристики таких приборов описывались в основном лишь в периодических изданиях. Учитывая необходимость в широком обмене мнениями по поводу технологии самого GaAs, а также способов конструирования и изготовления и возможностей приборов из GaAs, Институт физики Великобритании и Лаборатория авиационной электроники ВВС США организовали специальный международный симпозиум по арсениду галлия и его применению, в котором приняли участие ведущие специалисты западных фирм. Прочитанные на симпозиуме доклады и материалы дискуссии посвящены следующим актуальным проблемам: получение чистого GaAs и эпитаксиальных пленок; методы конструирования, свойства и деградация светодиодов и...
