СОДЕРЖАНИЕЯ. А. Федотов, Э. А. Матсон Полупроводниковые приборы с гетеропереходами.Е. А. Георгиевская, А. Н. Мансуров, В. С. Эткин Вопросы применения в ЭВМ устройств с модуляцией некогерентной несущей оптического диапазона.Е. А. Георгиевская, А. Н. Мансуров, В. С. Эткин Характеристики транзистора с оптической связью (устройства с модуляцией-демодуляцией оптической несущей).А. Н. Кармазинский О методике определения средней интегральной крутизны канальных транзисторов в триггере с непосредственнымисвязями.И. А. Попов Приближенный анализ работы транзистора в генераторном режиме.В. Л. Аронов Определение максимальной температуры в мощном транзисторе при потере термической устойчивости.Д. В. Игумнов Малосигнальные параметры транзистора в инверсном включении.И. С. Громов Определение напряжения насыщения транзистора по входным характеристикам.В. А. Горохов, Г. В. Кошеляев, Г. П. Тулункин Остаточное напряжение в полупроводниковых приборах с диффузионными p-n переходами.С. Г. Мадоян, А. М. Зубков О деградации туннельных диодов из арсенида галлия.И. А. Дубровский Усилительные возможности однокаскадных RС-усилителей на туннельных диодах.В. В. Лившиц Преобразование частоты большого сигнала и расширение динамического диапазона смесительных диодов СВЧ.А. Н. Кармазинский Переходные процессы в триггере на канальных транзисторах.А. Г. Филиппов Бестрансформаторный динамический инвертор с запоминающей емкостью.Ю. А. Попов, Б. Н. Оныкий Транзисторный ключ с импульсным питанием как универсальный логический элемент.В. У. Кизилов, В. А. Скубко Анализ мостовой схемы транзисторного ключевого модулятора.
