Дан обзор особенностей технологии получения и электрофизических свойств изолирующих слоев в микросхемах памяти с поликремниевым плавающим затвором. Приведены результаты исследований электрической прочности и процесса протекания электрического тока в тонких пленках диэлектриков на моно- и поликристаллическом кремнии, используемых в репрограммируемых постоянных запоминающих устройствах с плавающим затвором.
