По горизонтали
4. Одна область nтипа является истоком, чем является другая область
5. Как будут вести себя электроны находящиеся в полупроводнике по отношению к затвору, если к затвору приложить положительное напряжение относительно истока
8. Как в мдптранзисторах с встроенным каналом создаётся канал
11. Оксид какого вещества является наиболее распространённым диэлектриком
14. Как изменится проводимость канала при подаче на затвор отрицательного напряжения относительно истока
15. Чем в полевых мдптранзисторах металлический затвор изолирован от полупроводникового канала
По вертикали
1. Как изменится ток через транзистор если к затвору приложить положительное напряжение относительно истока
2. Как ведут себя электроны в отношении канала при подаче на затвор отрицательного напряжения относительно истока
3. Какое напряжение приложить между стоком и истоком, на стоке относительно истока, чтобы через канал протекал ток, обусловленный начальной проводимостью канала
5. Что является основой мдптранзистора
6. Как ведут себя дырки в подложке при подаче на затвор отрицательного напряжения относительно истока
7. Какого элемента не хватает в структуре полевого мдп транзистора металл диэлектрик … – мдп
9. Мдптранзисторыс каким каналом отличают от мдптранзисторов с встроенным каналом
10. Какие две области nтипа проводимости, соединённые каналом nтипа созданы в теле подложки – кристалла кремния pтипа проводимости
12. Как изменится проводимость канала, если к затвору приложить положительное напряжение относительно истока
13. Как называется режим работы при Uзи>0для транзистора со встроенным каналом nтипа
16. Как называется отрицательное напряжение uзи=uотс
Открыть кроссворд в MS Word, OpenOffice Writer (*.rtf)
