666. Найти отношение средней энергии линейного одномерного осциллятора, вычисленной по квантовой теории, к энергии такого же осциллятора, вычисленной по классической теории. Вычисления произвести для двух температур: 1) ; 2) , где – характеристическая температура Эйнштейна.
668. Молярная теплоемкость Сm серебра при температуре Т=20 К оказалась равной 1,65Дж/(моль К). Вычислить по значению теплоемкости характеристическую температуру (D. Условие Т <(D считать выполненным.
67. При каком процессе выгоднее производить расширение воздуха: изобарическом или изотермическом, если объем увеличивается в 5раз. Начальная температура газа в обоих случаях одинакова.
67. Плотность потока энергии в импульсе излучения лазера может достигать значения 1020Вт/м2. Определить давление такого излучения нормально падающего луча на черную поверхность.
67 . Определить максимальную энергию фотона в кристалле, дебаевская температура равна 200К. Какое кол-во фотонов с максимальной энергией возбуждается в среднем при температуре 300К.
670. Вычислить по теории Дебая теплоемкость цинка массой m=100 г при температуре Т=10К. Принять для цинка характеристическую температуру Дебая D=300 К и считать условие Т<< D выполненным.
672. Германиевый кристалл, ширина запрещенной зоны в котором равна 0,72 эВ, нагревают от температуры T1=0°С до температуры T2=15°С. Во сколько раз возрастет его удельная проводимость
673. При нагревании кремниевого кристалла от температуры t1=0° до температуры t2=10°С его удельная проводимость возрастает в 2,28 раза. По приведенным данным определить ширину запрещенной зоны кристалла кремния.
675. Металлы литий и цинк приводят в соприкосновение друг с другом при температуре Т=0 К. На сколько изменится концентрация электронов проводимости в цинке Какой из этих металлов будет иметь более высокий потенциал
676. Сопротивление R1 р-n-перехода, находящегося под прямым напряжением U=1 В, равно 10 Ом. Определить сопротивление R2 перехода при обратном напряжении.
677. Найти минимальную энергию Wmin, необходимую для образования пары электрон—дырка в кристалле GaAs, если его удельная проводимость у изменяется в 10 раз при изменении температуры от 20 до 3°С.