Рассматривается современное состояние, пути развития и перспектива использования полупроводниковых приборов. В доступной форме описан физический принцип действия новых полупроводниковых приборов дискретного характера и интегральных схем. Оценены технологические аспекты создания полупроводниковых приборов с диффузионными электронно-дырочными переходами и наиболее перспективными в настоящее время эпитаксиальными слоями.
