Автор:Магден, И.Н.; Сухарев, Ю.Г. Год: 1975 Издание:
Знание Страниц: 64 ISBN: [не указан] Рассматривается современное состояние, пути развития и перспектива использования полупроводниковых приборов. В доступной форме описан физический принцип действия новых полупроводниковых приборов дискретного характера и интегральных схем. Оценены технологические аспекты создания полупроводниковых приборов с диффузионными электронно-дырочными переходами и наиболее перспективными в настоящее время эпитаксиальными слоями.