Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление. Диффузия. Эпитаксия
Автор:Под ред. Бургера Р., Донована Р. Год: 1969 Издание: Страниц: [не указано] ISBN: [не указан] Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем. Книга полезна разработчикам и технологам полупроводниковых приборов, физикам, физикам-химикам и химикам, изучающим явления в полупроводниковых устройствах, а также специалистам, применяющим интегральные схемы. Ее можно рекомендовать в качестве учебного пособия студентам вузов, изучающим физику и технологию полупроводников.
