СОДЕРЖАНИЕИ. И. Абкевич, А. А. ВизельЭффект Ганна и его использование в электронике СВЧ.В. П. Лисейкин, М. А. ТришенковКоординатно-чувствительный бифотоэлемент.В. П. Морозов, М. С. СонинПрименение полевого транзистора в качестве нелинейного сопротивления.В. П. Морозов, М. С. СонинЧастотные свойства усилительного каскада на полевом транзисторе.В. Н. ИльинАнализ статического режима триггера с непосредственными связями и а полевых транзисторах с изолированным затвором.Н. С. МостовлянскийО вольтамперных характеристиках транзистора при запирающем смещении.Д. В. ИгумновК вопросу об усилении транзистора в инверсном включении.Г. В. ВойшвиллоАнализ широкополосных и импульсных транзисторных усилителей.Н. И. Валаев, X. Г. КригерРезервирование транзисторных усилителей с помощью компенсирующего канала.А. Я. АрхангельскийАналитический метод вероятностного расчета транзисторных схем.Г. И. ЧапцевФазочувствительные широтно-импульсные преобразователи.А. Я. АрхангельскийМаломощные транзисторные схемы с диодными связями.В. В. РосляковК вопросу о самовозбуждении двухтактного транзисторного преобразователя напряжения.В. В. Осипов, Г. Г. СмолкоПереходный процесс в насыщенном транзисторе при активно-емкостной нагрузке.И. М. Симонтов, В. Д. ИванченкоК расчету АРУ в усилителях на транзисторах.А. Г. ФилипповАнализ переходного процесса в транзисторном ключе с учетом емкостей переходов и емкости нагрузки.
