Связь, электроника

Список источников >Техника и технология >Связь, электроника >

Особенности технологии формирования и электрофизические свойства изолирующих слоев в микросхемах памяти с поликремниевым покрытием

Автор: Перов, Г.В.; Ульев, М.А.
Год: 1984
Издание: ЦНИИ Электроника
Страниц: 67
ISBN: [не указан]
Дан обзор особенностей технологии получения и электрофизических свойств изолирующих слоев в микросхемах памяти с поликремниевым плавающим затвором. Приведены результаты исследований электрической прочности и процесса протекания электрического тока в тонких пленках диэлектриков на моно- и поликристаллическом кремнии, используемых в репрограммируемых постоянных запоминающих устройствах с плавающим затвором.
Добавлено: 2009-11-18 20:44:38

Это интересно...

Наши контакты

Рейтинг@Mail.ru

© 2009-2017, Список Литературы