В первом разделе обзора, написанном доктором физ. мат. наук В.Г. Литовченко, обсуждаются основные закономерности, относящиеся к границе раздела диэлектрик-полупроводник, а также суммируются современные представления о физических и физико-химических механизмах, определяющих основные характеристики системы диэлектрик-полупроводник.Описаны процессы миграции ионов, гистерезисный эффект, обсуждаются влияние структуры окисла на заряд, природа фиксированного заряда в окисле и заряда быстрых состояний.Во втором разделе обзора, написанном канд.техн. наук Ю.В. Федоровичем, рассмотрено влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзисторов.Исследовано влияние поверхностного заряда на обратные токи транзисторов; детально изложен механизм образования каналов. Рассмотрено изменение заряда при различных режимах испытания и эксплуатации транзисторов. Обсуждаются вопросы стабилизации поверхностно-чувствительных параметров транзисторов.
