Связь, электроника

Список источников >Техника и технология >Связь, электроника >

Диэлектрические покрытия в планарной технологии

Автор: Литовченко, В.Г.; Федорович, Ю.В.
Год: 1972
Издание: ЦНИИ Электроника
Страниц: 99
ISBN: [не указан]
В первом разделе обзора, написанном доктором физ. мат. наук В.Г. Литовченко, обсуждаются основные закономерности, относящиеся к границе раздела диэлектрик-полупроводник, а также суммируются современные представления о физических и физико-химических механизмах, определяющих основные характеристики системы диэлектрик-полупроводник.Описаны процессы миграции ионов, гистерезисный эффект, обсуждаются влияние структуры окисла на заряд, природа фиксированного заряда в окисле и заряда быстрых состояний.Во втором разделе обзора, написанном канд.техн. наук Ю.В. Федоровичем, рассмотрено влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзисторов.Исследовано влияние поверхностного заряда на обратные токи транзисторов; детально изложен механизм образования каналов. Рассмотрено изменение заряда при различных режимах испытания и эксплуатации транзисторов. Обсуждаются вопросы стабилизации поверхностно-чувствительных параметров транзисторов.
Добавлено: 2009-11-18 20:44:39

Это интересно...

Наши контакты

Рейтинг@Mail.ru

© 2009-2016, Список Литературы